位于京畿道城南市的SK海力士公司办公室的标牌贵州省(彭博社)

全球第二大存储芯片制造商SK海力士(SK hynix)周四表示，由于在对生成式人工智能工具至关重要的先进存储芯片领域处于领先地位，该公司已从内存市场的长期低迷中复苏，开始扭亏损。

该公司公布，今年1月至3月的季度营业收入为2.89万亿韩圆(合21亿美元)，上年同期为亏损3.4万亿韩圆。这比市场情报机构FnGuide提供的国内分析人士预测的1.86万亿韩元要高得多。

这是SK海力士6个季度以来首次实现万亿韩元的营业利润，也是继2018年第一季度(1 ~ 3月)之后的第二高。

净利润从一年前的亏损2.59万亿韩元转为1.92万亿韩元。

SK海力士第一季度的利润高于预期，是因为在高带宽存储器(High Bandwidth memory)等人工智能存储技术领域处于领先地位，人工智能服务器产品的销售有所增加，并继续努力实现优先盈利。

第一季度(1 ~ 3月)的销售额为12.42万亿韩元，比去年同期增加了144.3%，创下了历史最高纪录。销售额也超过了分析师平均预测的12.16万亿韩元。

随着高端产品eSSD的销售比率的上升和平均销售价格的上涨，NAND业务也在同期实现了有意义的转机。SK集团有关人士还展望了下季度NAND事业的前景。

凭借这些有意义的季度业绩，SK海力士认为，在长期低迷之后，该公司已进入明显反弹的阶段。

三星电子首席财务官金宇铉(音)表示:“以HBM为中心，拥有业界最先进的AI内存技术，进入了明显的恢复阶段。”“我们将继续努力改善我们的财务业绩，在适当的时候提供业内表现最好的产品，并保持盈利第一的承诺。”

SK在当天召开的业绩电话会议上预测说，随着对AI内存的需求持续增加，整个存储芯片市场将在未来几个月内稳步增长，传统的DRAM市场也将从4 ~ 6月开始恢复。

预计到今年年底，整体内存库存水平将大幅下降。SK海力士有关人士表示:“虽然销售较为保守，但由于销售量超过生产量，第一季度末的DRAM和NAND存储器成品库存均有所减少。”

三星电子计划，在扩大客户基础的同时，增加业界首次量产的下一代人工智能(AI)高性能DRAM(随机存储器)“HBM3E”的供应量。

三星电子还计划在今年内推出基于第五代10纳米工艺10亿纳米工艺的32gb DDR5产品，以加强在大容量服务器DRAM市场的领先地位。

SK海力士昨天表示，为了应对人工智能(AI)芯片需求的急剧增加，将投资20万亿韩元以上，在忠北清州建立M15X工厂，以提高DRAM的产量。

除了M15X晶圆厂外，三星电子还计划投资约120万亿韩元的龙仁半导体产业园区等，按计划推进其他国内投资。该公司还将继续海外投资，在印第安纳州建立先进的包装设施。

“为了灵活应对瞬息万变的市场，我们正在逐步研究存储器市场的生产投资计划。因此，预计2024年的投资规模将比年初制定的计划略有增加。”

“我们将继续做出投资决策，优先考虑我们的领导地位和必要的投资，重点关注有竞争力的产品，并考虑我们的现金产生能力。我们希望在投资未来增长和确保财务稳健之间取得平衡。”